特許

J-GLOBAL ID：200903048267594722

磁気抵抗複合素子

発明者： 越村 正己 ,  宮崎 照宣
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244448
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063254
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 室温における抵抗変化率(ΔR/R)が2%以上であって電極を選択することにより広い磁場範囲において良好な感度が得られ、しかも弱磁場における磁場方向に対する極性を容易に検出でき、構造が簡単で小型化し得る。【構成】 第1強磁性薄膜11と第2強磁性薄膜12とを薄い絶縁層を含む非磁性膜13を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗複合素子10に関し、強磁性薄膜11,12はそれぞれの磁化容易軸M1,M2が互いに直交するように配置して設けられ、第2強磁性薄膜はその磁化容易軸方向の保磁力が第1強磁性薄膜のそれより小さくかつ強磁性磁気抵抗効果を有する。第1強磁性薄膜は保磁力が大きなCo元素を主成分とし、第2強磁性薄膜は電子と磁気モーメントとの相互作用が大きなFe,Ni,Co元素のうち少なくとも2種以上含む。

請求項（抜粋）：

第1強磁性薄膜(11)と第2強磁性薄膜(12)とを薄い絶縁層を含む非磁性膜(13)を挟んで接合し、これにより生じる強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子において、前記第1及び第2強磁性薄膜(11,12)はそれぞれの磁化容易軸(M1,M2)が互いに直交するように配置して設けられ、前記第2強磁性薄膜(12)はその磁化容易軸方向の保磁力が前記第1強磁性薄膜(11)の磁化容易軸方向の保磁力より小さくかつ強磁性磁気抵抗効果を有することを特徴とする磁気抵抗複合素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-049607