特許
J-GLOBAL ID:200903048271162438

高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-389784
公開番号(公開出願番号):特開2001-206917
出願日: 1996年03月19日
公開日(公表日): 2001年07月31日
要約:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示され、重量平均分子量が3,000〜300,000であることを特徴とする高分子化合物。【化1】[R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は酸不安定基、R<SP>4</SP>は水素原子、R<SP>5</SP>は-COOX基(Xは水素原子又は酸不安定基)又は-C<SB>6</SB>H<SB>4</SB>-R<SP>6</SP>(R<SP>6</SP>は水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基)であり、又はR<SP>4</SP>とR<SP>5</SP>は互いに結合して-CO-O-CO-となっていてもよい。nは2又は3であり、mは1、2又は3である。t、qは正数、r、sは0又は正数であり、0<(t+q)/(t+q+r+s)≦1を満足する。t+q+r+sは上記重量平均分子量とする数である。]【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂として使用した化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示され、重量平均分子量が3,000〜300,000であることを特徴とする高分子化合物。【化1】[但し、式中R<SP>1</SP>はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は酸不安定基である。R<SP>4</SP>は水素原子、R<SP>5</SP>は-COOX基(Xは水素原子又は酸不安定基)又は【化2】(R<SP>6</SP>は水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基)であり、又はR<SP>4</SP>とR<SP>5</SP>は互いに結合して【化3】となっていてもよい。また、上記各単位はそれぞれ1種で構成されていても、2種以上で構成されていてもよい。nは2又は3であり、mは1、2又は3である。t、qは正数、r、sは0又は正数であり、0<(t+q)/(t+q+r+s)≦1を満足する。t+q+r+sは上記重量平均分子量とする数である。上記酸不安定基は、下記式(16)又は(17)で示される基、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラフラニル基、又はトリアルキルシリル基である。【化4】(但し、式中R<SP>15</SP>、R<SP>16</SP>はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、R<SP>17</SP>は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。また、R<SP>18</SP>は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、aは0又は1である。)]
IPC (6件):
C08F212/14 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/13 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601
FI (6件):
C08F212/14 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/13 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601

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