特許
J-GLOBAL ID：200903048274843061
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175364
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021124
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【構成】プリント基板に電子部品を実装したときにおいて、リードフレームのダイパッド部分のインナーリード部分に対するオフセット量を通常よりも多く取ったリードフレームを作成し、突起状の加工がされた金型を用いてトランスファーモールドした後、パッケージの上面を梨地加工し導電性接着剤403によって放熱材401を取り付ける。【効果】部品の取り付け高さの低下、通常の鉄,ニッケル合金を使用した場合の耐湿性劣化を招くことなく、放熱性,実装時の熱ストレス,ボンディングおよびチップ上の剪断応力の緩和にも優れており部品自体の寿命を伸ばすことが可能となる。
請求項（抜粋）：
(1)リードフレームのダイパッド部分をオフセットすることによって半導体チップの上下バランスを調整する工程と(2)封止樹脂用金型を用いてトランスファーモールドする工程と(3)部品上面を梨地加工する工程と(4)導電性接着剤等によって放熱材を取り付ける工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56
, B29C 45/02
, H01L 23/40
, B29L 31:34
