特許
J-GLOBAL ID：200903048275281903
メッキ方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169714
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 ウエハに形成されるメッキ層の厚さを均一化すること【構成】 メッキ液4が噴流されるカップ2の上面にウエハ11の被メッキ面を配置し、カソード電極9とアノード電極7との間にメッキ電流を流してウエハ11の被メッキ面にメッキを施すようにしたメッキ装置において、ウエハ11の上面側に、ウエハ11の外周部に対応する部分におけるメッキ液4に磁界を作用させる磁石26をウエハ11の周方向に回転可能に設けたものである。そして、この磁界の作用によってメッキ液4中の金イオンをウエハ11の外周部に引き寄せ、ウエハ11の下面各部における金イオン濃度を一定にして、メッキ層の厚さを均一化させる。
請求項（抜粋）：
メッキ液が噴流されるカップの上面にウエハの被メッキ面を配置し、カソード電極とアノード電極との間にメッキ電流を流して前記被メッキ面にメッキを施す際に、前記ウエハの外周部に対応する部分における前記メッキ液に磁界を作用させることを特徴とするメッキ方法。
IPC (2件)：
H01L 21/288
, H01L 21/321
