特許
J-GLOBAL ID:200903048277056826
電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-032250
公開番号(公開出願番号):特開2000-231119
出願日: 1999年02月10日
公開日(公表日): 2000年08月22日
要約:
【要約】【課題】 高い電子/正孔移動度の単結晶シリコン層を比較的低温でかつ均一に成膜して、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。【解決手段】 第1の基板1の一方の面上にゲート電極11とゲート絶縁膜からなるゲート部を形成し、さらに第1の基板1の一方の面上に段差4を形成する。この第1の基板1上に、半導体を含有した錫あるいは鉛あるいは錫と鉛との合金からなる低融点金属の溶融液層6を形成し、この溶融液層6を冷却処理することにより段差4をシードとして単結晶半導体層7をグラフォエピタキシャル成長させる。この単結晶半導体層7にチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を形成し、チャネル領域の下部にゲート部を有し、周辺駆動回路部の一部を構成するボトムゲート型の第1の薄膜トランジスタを形成する。
請求項(抜粋):
画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第1の基板上に有し、この第1の基板と第2の基板との間に所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置において、前記第1の基板の一方の面上にゲート電極とゲート絶縁膜とからなるゲート部が形成され、前記第1の基板の前記一方の面上に段差が形成され、前記段差及び前記ゲート部を含む前記第1の基板上に、半導体を含有した錫あるいは鉛あるいは錫と鉛との合金からなる低融点金属の溶融液層が形成され、さらに該低融点金属の溶融液層が冷却処理されることにより前記段差をシードとして前記半導体がグラフォエピタキシャル成長させられ、析出されてなる単結晶半導体層が設けられ、この単結晶半導体層をチャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域とし、前記チャンネル領域の上部及び下部に前記ゲート部をそれぞれ有するデュアルゲート型の第1の薄膜トランジスタが前記周辺駆動回路部の少なくとも一部を構成していることを特徴とする電気光学装置。
IPC (4件):
G02F 1/136 500
, H01L 21/208
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (6件):
G02F 1/136 500
, H01L 21/208 Z
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 626 C
Fターム (129件):
2H092JA01
, 2H092JA24
, 2H092JA25
, 2H092JA26
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092KA03
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA10
, 2H092MA06
, 2H092MA08
, 2H092MA10
, 2H092MA15
, 2H092MA27
, 2H092MA29
, 2H092MA30
, 2H092NA07
, 2H092NA19
, 2H092NA26
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, 2H092NA28
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 2H092PA08
, 2H092QA07
, 2H092QA08
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, 2H092QA13
, 2H092QA14
, 2H092QA15
, 5F053AA03
, 5F053AA25
, 5F053AA26
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, 5F053DD20
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, 5F110QQ09
, 5F110QQ11
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, 5F110QQ19
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