特許

J-GLOBAL ID：200903048280453305

表面弾性波デバイスの実装構造

発明者： 佐田 龍一
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148200
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316778
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 特別にリセスを加工された回路基板を用いる必要がなく、表面弾性波デバイスの表面波伝搬路中央部位置を回路基板に接続できる構造の表面弾性波デバイスの実装構造を得るにある。【構成】 表面波伝搬路4を形成するデバイスチップ1の機能面1aを、実装される回路基板5の実装面に対面させ、前記機能面1aと前記実装面との間に振動空間を保った状態として、デバイスチップ1の周囲を封止樹脂9で被覆する表面弾性波デバイスの実装構造において、前記表面波伝搬路4を取り囲みかつ前記表面波伝搬路4の実装用バンプ6よりも低いフォトレジスト被膜10を前記機能面1aに形成し、回路基板5の導電層5aに前記実装用バンプ6を接続した状態で前記前記フォトレジスト被膜10の表面と前記実装面との間に僅かの隙間を形成し、同フォトレジスト被膜10の位置で前記封止樹脂9を終端させた表面弾性波デバイスの実装構造。

請求項（抜粋）：

表面波伝搬路を形成するデバイスチップの機能面を、実装される回路基板の実装面に対面させ、前記機能面と前記実装面との間に振動空間を保った状態として、デバイスチップの周囲を封止樹脂で被覆する表面弾性波デバイスの実装構造において、前記表面波伝搬路を取り囲みかつ前記表面波伝搬路の実装用バンプよりも低いフォトレジスト被膜を前記機能面に形成し、回路基板の導電層に前記実装用バンプを接続した状態で前記フォトレジスト被膜の表面と前記実装面との間に僅かの隙間を形成し、同フォトレジスト被膜の位置で前記封止樹脂を終端させることを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。