特許

J-GLOBAL ID：200903048284395032

MOSコンデンサ及びMOSコンデンサの製造方法

発明者： 小野寺 繁樹 ,  渡邊 敦
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151181
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340674
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 CMOSデバイスに形成されたMOSコンデンサの耐圧を高くする。また、そのMOSコンデンサの製造を容易にする。【解決手段】 PチャネルMOSトランジスタ(41)とNチャネルMOSトランジスタ(40)を併せ持つCOMSデバイスに形成されたMOSコンデンサ(42,43)の製造方法において、半導体基板(1)表面に、両トランジスタ(40,41)間の影響を遮断するチャネルストッパー領域(9,10)を設けてCMOSトランジスタを形成するとともに、半導体基板(1)の一導電型の領域上に絶縁膜(12)を介して電極(18,19)を形成してMOSコンデンサ(42,43)を形成し、一導電型の領域内の絶縁膜(12)に隣接した領域に、同じ導電型の高濃度の領域(27,28)をチャネルストッパー領域(9,10)形成工程と同じ工程で形成する。

請求項（抜粋）：

PチャネルMOSトランジスタとNチャネルトランジスタを併せ持つCOMSデバイスに形成されたMOSコンデンサにおいて、MOSコンデンサを構成する絶縁膜下方に位置する半導体領域に、前記半導体領域と同じ導電型の高濃度領域を前記絶縁膜と隣接して形成したことを特徴とするMOSコンデンサ。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/94

FI (4件)：

H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/94 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 E

Fターム (12件)：

5F038AC03 ,  5F038AC07 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038AV06 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BE04 ,  5F048BG12 ,  5F048BH07