特許

J-GLOBAL ID：200903048286191604

CVD装置

発明者： 新井 寿裕 ,  佐藤 栄治 ,  長崎 恵一 ,  本間 喜夫 ,  斉藤 政良 ,  中西 成彦
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217035
公開番号（公開出願番号）：特開平7-054153
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年02月28日
要約：

【要約】【目的】 チャンバ内のガス反応分析および生成された膜を成膜作業の進行にあわせて同時に行うことができるCVD装置を提供する。【構成】 少なくともチャンバを有し、該チャンバ内にウエハを載置するためのサセプタからなる昇降可能な下部電極と、該サセプタ上のウエハに反応ガスを供給する、高周波電源に接続されたシャワー電極を備えた上部電極を有するCVD装置において、フーリエ変換赤外分光光度計を備え、上部電極が昇降可能に構成されている。本発明のCVD装置は、非プラズマ雰囲気下でオゾン-TEOSからなる反応ガスを処理するか、または、プラズマ雰囲気下で酸素-TEOSからなる反応ガスを処理することによりシリコン酸化膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

少なくともチャンバを有し、該チャンバ内にウエハを載置するためのサセプタからなる昇降可能な下部電極と、該サセプタ上のウエハに反応ガスを供給する、高周波電源に接続されたシャワー電極を備えた上部電極を有するCVD装置において、フーリエ変換赤外分光光度計を備え、上部電極が昇降可能に構成されていることを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205