特許
J-GLOBAL ID：200903048298749511
エピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116250
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279470
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャルウェーハの裏面面取り部及びエッジ部のポリシリコンの付着量を減らし、剥離、割れ、欠け、クラック等の発生を抑止する。【構成】 エピタキシャルウェーハの製造にあたり、縦型のエピタキシャルウェーハ成長炉を用い、SiCl4、SiHCl3またはSiH2Cl2等のクロロシラン系成長ガス雰囲気中で、エピタキシャル成長速度を1.2μm/分以下に制御して、ポリシリコン層を形成する。温度は1000〜1200°C程度である。得られたエピタキシャルウェーハの裏面面取り部及びエッジ部に対するポリシリコンの付着は、エピタキシャル成長速度1.5μmに比較すると、著しく減少して良品歩留まりが向上する。この効果は、特にエピタキシャル層の厚さが180μm以上の厚もののエピタキシャルウェーハの製造において顕著である。
請求項（抜粋）：
エピタキシャルウェーハ成長炉により、SiCl4、SiHCl3、及びSiH2Cl2からなる群から選ばれた少なくともひとつのクロロシラン系成長ガス雰囲気中で、エピタキシャル層の厚さが100μm以上のエピタキシャルウェーハを製造するに当たり、エピタキシャル成長速度を1.2μm/分以下に制御することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 25/16
H01L 21/205
, C30B 25/02 Z
, C30B 25/16
