特許
J-GLOBAL ID：200903048306376851
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021298
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213735
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】本発明は、半導体チップとパッケージ基台とをフリップチップ接続により接合してなるCSPおよびその製造方法において、チップと基台との隙間に樹脂を充填する工程を不要にでき、生産性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、半導体チップ10の表面に硬化剤30aを塗布した後、その裏面を、フリップチップボンダのホルダ40によって保持させる。また、パッケージ基台20の表面には主剤30bを塗布し、ステージ上に固定する。そして、半導体チップ10とパッケージ基台20とを位置合わせした後、上記ホルダ40を降下させながら加圧することにより、両者をフェイス・ダウン接合する。その際に、硬化剤30aと主剤30bとを徐々に混合しながら、半導体チップ10とパッケージ基台20との間に接着層30を充填させるようになっている。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体素子をフェイス・ダウン・ボンディング法により接合するようにしてなる半導体装置において、前記半導体素子と前記基板とを、主剤と硬化剤とを混合してなる2液性の樹脂層を介して接着してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, C09J 5/06 JGV
H01L 21/60 311 Q
, C09J 5/06 JGV
