特許
J-GLOBAL ID：200903048322552252
アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-065195
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094431
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 アモルファスSi堆積に際し、基体バイアス印加の問題を解決し、堆積過程の制御性を高める方法及びアモルファスSi堆積に適した基板、該基板を有するアモルファス半導体基板を提供する。【構成】 少くともその表面が電荷の移動可能なアモルファス構造の表面を有するアモルファス半導体用基板、基板に直流成分を含むバイアスを印加し、特定ガス雰囲気下で前記基板上に50MHz以上の高周波プラズマを利用して形成されたアモルファス半導体を有するアモルファス半導体基板で、前記基板は少くともその表面が電荷が移動可能なアモルファス構造の表面を有し、前記アモルファス半導体は該表面上に形成されている、アモルファス半導体基板及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
基板に直流成分を含むバイアスを印加し、不活性ガス及び水素含有ガスを除く残部のガス分圧が10-8Torr以下の雰囲気下で前記基板上に50MHz以上の高周波プラズマを利用してアモルファス半導体を堆積するためのアモルファス半導体用基板であって、前記基板は少なくともその表面が電荷が移動可能なアモルファス構造の表面を有することを特徴とするアモルファス半導体用基板。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 31/04
