特許

J-GLOBAL ID：200903048325155769

成膜方法及び装置

発明者： 鈴木 優美 ,  後藤 恭二
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143745
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326192
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 基体上への成膜プロセスにおいて、そのプロセス管理を軽減でき、これにより処理効率を向上できる成膜方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明による成膜装置は、TDMATガス供給系27a及びNH3ガス供給系27eが結合されたCVD-TiNチャンバ26を備えるものであり、本発明の成膜方法は、この成膜装置を用い、ウエハ1をCVD-TiNチャンバ26に収容し、MOCVD法によりウエハ1上にTiN膜を形成せしめるバリアメタル成膜工程と、TiN膜が成膜されたウエハ1上にNH3ガスを供給することによりTiN膜のダングリングボンドを終端できる還元性ガス供給工程とを備える。

請求項（抜粋）：

有機金属材料を用いたCVD法により、基体上にバリアメタル膜を形成せしめるバリアメタル成膜工程と、前記基体上に還元性ガスを供給する還元性ガス供給工程と、を備えることを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/88 R

Fターム (54件)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA06 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA14 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104DD23 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH01 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP20 ,  5F033QQ98 ,  5F033XX02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28