特許

J-GLOBAL ID：200903048325661249

半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置

発明者： 大柴 小枝子 ,  中村 幸治 ,  山内 義則
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190032
公開番号（公開出願番号）：特開平9-043555
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】 逆方向バイアス印加時の漏れ電流を防ぎ、メサ側面をFeドープInP埋め込み層で埋め込んだ半導体光変調器及びそれに集積された半導体レーザ装置を提供する。【構成】 光吸収層22を有するメサ側面をFeドープInP高抵抗埋め込み層24で埋め込んだ半導体光変調器において、前記FeドープInP高抵抗埋め込み層24上に形成される1×1018cm-3以上の高濃度の不純物濃度のn型InP埋め込み層25と、このn型InP埋め込み層25上に形成される1×1017cm-3以下の低濃度の不純物濃度のp型InP埋め込み層26と、前記光吸収層22及びp型InP埋め込み層26上に形成される4×1017cm-3以上の高濃度の不純物濃度のp型InPクラッド層23とを設けるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

光吸収層を有するメサ側面をFeドープ高抵抗埋め込み層で埋め込んだ半導体光変調器において、(a)前記Feドープ高抵抗埋め込み層上に形成される1×1018cm-3以上の高濃度の不純物濃度のn型埋め込み層と、(b)該n型埋め込み層上に形成される1×1017cm-3以下の低濃度の不純物濃度のp型埋め込み層と、(c)前記光吸収層及びp型埋め込み層上に形成される4×1017cm-3以上の高濃度の不純物濃度のp型クラッド層とを有することを特徴とする半導体光変調器。

IPC (3件)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/122 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

G02F 1/025 ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 A