特許

J-GLOBAL ID：200903048329301697

熱型赤外線固体撮像素子

発明者： 塚本 七生 ,  松本 尚平
出願人/特許権者： 日本電気航空宇宙システム株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061743
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273306
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】熱型赤外線固体撮像素子のバイアス電荷成分を正確に検出でき、温度検出素子の熱応答を改善する。【構成】信号成分以外のバイアス電荷成分を検出し、基準レベルとする領域の成分を、エッチングホール21を設けずにダイアフラム構造とせず、ポリシリコン24で充填した。したがって、赤外線遮光膜を基準レベル検出領域100Sに設ける必要がなく、製造プロセスにおける安定化処理で基準レベル検出領域100Sと撮像領域100とに差がつかないので正確な基準レベルを得られる。また、ダイアフラム(14,15の2層膜)上の厚さを薄くでき熱応答が改善される。

請求項（抜粋）：

温度検出素子を列状に配置した温度検出素子列および前記温度検出素子から電荷を受取って転送する垂直シフトレジスタを含む画素列を複数個並列に配置した撮像領域と、前記画素列の温度検出素子の代りに基準レベル検出素子を用いたダミー画素列を含み前記撮像領域に隣接して配置された基準レベル検出領域とを有する熱型赤外線固体撮像素子において、前記温度検出素子が半導体基板上の第1の絶縁膜に設けられた第1の凹部、前記第1の凹部を蓋う絶縁性ダイアフラムおよび前記絶縁性ダイアフラムに被着された感熱膜を有してなり、前記基準レベル検出素子が、前記半導体基板上の第1の絶縁膜に設けられた第2の凹部、前記第2の凹部を埋める充填材、前記絶縁性ダイアフラムと同一材質の第2の絶縁膜、前記第2の絶縁膜に被着され前記感熱膜と同一材質の被膜を有してなることを特徴とする熱型赤外線固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/33

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 K