特許
J-GLOBAL ID：200903048336394820
選択的メタライゼーションのための核形成種注入法およびその製造物
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024246
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007078
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 金属導体と絶縁材料を良好に付着させ、堆積した金属導体の金属材料から隣接する構造体への汚染を回避する。【構成】 本発明の方法および構造に従えば、核形成種54が疎金属層40の開口部52を介してバリア層17に注入され、銅または同様の金属が注入部位において選択的に成長させられる。注入バリア層17は好ましくは、銅または同様に成長した金属が通り抜けて拡散することを阻止する材料からなる。
請求項（抜粋）：
基板と、所定金属が通り抜けて拡散することを阻止するための第1の材料からなるバリヤ層と、該バリヤ層の表面部に注入された核形成種であって、注入部で該所定金属の成長を促進または誘引する第2の材料を含む核形成種と、該核形成種が注入される該バリヤ層の表面部に設けられた、該所定金属からなる金属導体と、を備えた半導体構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 21/90 D
, H01L 21/88 M
