特許
J-GLOBAL ID：200903048343867903
エッチング方法と装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173479
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120176
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【構成】 低級炭化水素、あるいはさらにH2 含有のガスにより、酸化物導電性膜を上部電極31および下部電極32を有する反応装置において、下部電極32に基板1を載置して低温プラズマエッチングする。【効果】 高精度、高効率でのドライ(気相)エッチングが実現される。
請求項（抜粋）：
低級炭化水素含有ガスにより低温プラズマエッチングすることを特徴とする酸化物導電性膜のエッチング方法。
IPC (2件)：
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