電界効果トランジスタ及びそのゲート電極の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010388
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209177
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極におけるリーク電流、ゲート容量の増加を抑制したまま、マスク開口パターンよりも短いゲート長を制御性良くし、かつ歩留まりの高いゲート構造とその形成方法を提供し、10GHzを越えるような高周波領域において優れた特性を得る電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】キャリア供給層はn-AlGaAs層(Al組成0.22、膜厚20nm、Siドーピング濃度1×1018cm-3)、ショットキー層はAlGaAs層(Al同組成、膜厚10nm)、キャップ層はGaAs層(膜厚140nm)を形成し、更にGaAsキャップ層及びAlGaAsショットキー層の一部をV字にエッチング({111}面を露出、GaAsキャップ層表面開口幅250nm)し、V字の部分にショットキーゲート電極(材料WSi)を形成し、更にソース電極とドレイン電極(材料AuGe/Ni/Au)を形成する。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱型半導体を用い、かつショットキーゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、電流の流れる方向に平行でかつショットキーゲート電極が接している半導体表面に垂直な一平面を切断面としてショットキーゲート電極を観察したとき、ショットキーゲート電極の半導体と接する部分がV字型となっており、かつ動作時の電流の方向が、ソース電極またはドレイン電極と半導体が接している面に対して平行であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭58-143577
特開昭59-072771
特開昭52-045280

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