特許

J-GLOBAL ID：200903048345416089

プラズマ処理装置

発明者： 小美野 光明 ,  荒見 淳一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208846
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041096
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 被処理体の大口径化/大型化に対応できるプラズマ処理装置。【解決手段】 処理室PC内に上部電極102と下部電極114を対向配置し、少なくとも上部電極と下部電極のいずれか一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、下部電極上に載置された被処理体Wに対して処理を施すプラズマ処理装置に、処理室の上部に少なくとも1の上部真空排気系124を有する上部排気室UCを設け、前記処理室の下部に少なくとも1の下部真空排気系132を有する下部排気室DCを設けている。また、上部排気室と処理室と下部排気室はそれぞれ分離可能であり、処理室は、下部電極部分を除き一体的に構成されている。

請求項（抜粋）：

処理室内に上部電極と下部電極を対向配置し、少なくとも前記上部電極と前記下部電極のいずれか一方に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、前記下部電極上に載置された被処理体に対して処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理室の上部に前記処理室に連通するとともに少なくとも1の上部真空排気系を有する上部排気室を設け、前記処理室の下部に前記処理室に連通するとともに少なくとも1の下部真空排気系を有する下部排気室を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H05H 1/46 M ,  C23C 16/44 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C