特許
J-GLOBAL ID：200903048349893884
半導体不揮発性記憶素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171781
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343694
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板11の表面にトンネル絶縁膜12を形成する工程と、第1のシリコン窒化膜13を形成する工程と、第1のシリコン窒化膜よりシリコン含有量が多い化学組成を有する第2のシリコン窒化膜14を形成する工程と、第2のシリコン窒化膜14を熱酸化してシリコン酸化膜15を形成する工程と、ゲート電極材料16を形成する工程とをそなえる。【効果】 半導体不揮発性記憶素子における記憶データの保持能力を低下することなく、半導体不揮発性記憶素子の書き換え回数を増大することができる。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板の表面に、電荷注入可能なトンネル絶縁膜を形成する工程と、トンネル絶縁膜上に第1のシリコン窒化膜を形成する工程と、第1のシリコン窒化膜上に第1のシリコン窒化膜よりシリコン含有量が多い化学組成を有する第2のシリコン窒化膜を形成する工程と、第2のシリコン窒化膜上に第2のシリコン窒化膜あるいは第2のシリコン窒化膜と第1のシリコン窒化膜の一部とを熱酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜上に導電性のゲート電極材料を形成する工程と、ホトエッチングによりゲート電極を形成する工程とをそなえることを特徴とする半導体不揮発性記憶素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
