特許

J-GLOBAL ID：200903048350937054

半導体装置の製造方法

発明者： 常峰 美和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206581
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023105
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 ダマシンプロセスを行って半導体基板等を含む下地層に近づくほど幅広となる順テーパー形状の下部電極を有するスタックトキャパシタを製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ダマシンプロセス用の層間膜内に、下地層に近づくほど開口幅が広くなる逆テーパー形状の開口部をフォトリソグラフィ技術を用いて形成する。なお、層間膜に例えばネガレジストを採用すれば、逆テーパー形状の開口部を形成可能である。そして、その開口部内に金属膜を形成することにより、順テーパー形状の下部電極7を形成する。なお、下部電極7の形成に当たっては、予め形成しておいた導電体層5をメッキ電極として用いて電解メッキ法等により行えばよい。その後、層間膜を除去し、誘電体膜8、上部電極9およびキャパシタ上部層間絶縁膜10を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)下地層上に層間膜を形成する工程と、(b)前記下地層に近づくほど開口幅が広くなる逆テーパー形状の開口部をフォトリソグラフィ技術を用いて前記層間膜に形成する工程と、(c)前記開口部内に第1金属膜を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 21/88 S

Fターム (16件)：

5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX02 ,  5F083AD56 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08