半導体装置、電気光学装置およびそれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361555
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164543
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】半導体膜とゲート絶縁膜との界面を清浄化することにより特性の安定したTFTを備えた半導体装置、電気光学装置、およびそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】アクティブマトリクス基板2にTFT10、20、30を形成するにあたって、基板100上にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜10aを形成した後、この半導体膜10aにレーザーアニールを行なう。次に、半導体膜10aの表面に薄い第1のゲート絶縁膜131を大気圧プラズマ酸化により形成し、この表面にレジストマスク401を形成する。この状態で第1のゲート絶縁膜131と半導体膜10aを一括してエッチングした後、レジストマスク401を除去し、第2のゲート絶縁膜132を形成する。

請求項（抜粋）：

チャネルとなる半導体膜と該半導体膜にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備える薄膜トランジスタを有する半導体装置において、前記薄膜トランジスタは、前記ゲート絶縁膜として、前記半導体膜の表面に形成された第1のゲート絶縁膜と、該第1のゲート絶縁膜の表面に形成された第2のゲート絶縁膜とを有し、前記第1のゲート絶縁膜は、前記第2のゲート絶縁膜よりも薄く、かつ、前記半導体膜と同一パターンで形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/316

FI (4件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/316 A , H01L 29/78 617 U

Fターム (81件)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB41 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA07 , 2H092QA07 , 2H092RA05 , 5C094AA02 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EB02 , 5F058BA20 , 5F058BB07 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF73 , 5F058BH12 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE28 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ04 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110QQ02 , 5F110QQ11

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