特許
J-GLOBAL ID：200903048355047685
炭化けい素電子デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245276
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】SiC基体上にNi電極を設けると、熱処理中にNiとSiおよびCの相互拡散により、電極部の接触抵抗が増大する問題を解決する。【構成】SiC基体の上に直接Ni電極を形成せず、WあるいはW-Si合金からなる中間層を介在させることにより、相互拡散を阻止することができ、高温保持でも接触抵抗の増大しない安定な電極をもつSiC電子デバイスが得られる。Ni層の上にAu層を積層すれば、ボンディングが容易になる。
請求項（抜粋）：
n形炭化けい素基体上にタングステン層を介して少なくともタングステン層側がニッケル層である導電性金属層を積層したのち、熱処理を施して電極を形成する炭化けい素電子デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, C01B 31/36
