特許
J-GLOBAL ID：200903048356923276
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059790
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261104
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 高速応答性に優れ、長期的使用における信頼性を有する半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 n型InP基板1上に、アンドープInGaAsP光閉じ込め層(厚さ150nm、λg=1.25μm)2、InAsP活性層3、アンドープInPバッファ層(厚さ100nm)4、及びp型InPクラッド層(厚さ1μm)5、p型InGaAsコンタクト層(厚さ200nm)6を含むストライプ幅が100μmのブロードエリア構造を備えている。この様な構成にすることにより、InAsP活性層3の、レーザ共振器方向に平行で基板1の主面に垂直な断面形状は、一辺がおよそ25nmの三角であり、その頂点はn型InP基板1側に突き出ている。
請求項（抜粋）：
InP基板と、該InP基板上に形成された多層構造と、を備えた半導体レーザ装置であって、該多層構造は、少なくともレーザ光を放射するための周期的構造を有する活性層を含んでおり、該活性層は、該InP基板の主面に垂直で該半導体レーザ装置の共振器方向に平行な断面において、該InP基板の方向に突き出た三角形状を持つ複数の半導体部分を有する、半導体レーザ装置。
Fターム (11件)：
5F073AA04
, 5F073AA44
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AA75
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073EA14
