特許

J-GLOBAL ID：200903048360942587

GaN単結晶の作製方法

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087962
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281499
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 光及び電子デバイス作製のためのGaN基板に適した大口径のGaN単結晶を作製する方法を提供する。【解決手段】 GaNよりも低い融点を有する3-5族化合物半導体基板上に、GaNバッファ層、GaN単結晶層を順次成長し、次いで、真空中またはアンモニアガス雰囲気中で、前記基板が熱劣化する温度で前記基板を加熱し、その後、化学的エッチングにより前記基板を除去する。

請求項（抜粋）：

GaNよりも低い融点を有する3-5族化合物半導体基板上に、GaNバッファ層、GaN単結晶層を順次成長し、次いで、真空中またはアンモニアガス雰囲気中で、前記基板が熱劣化する温度で前記基板を加熱し、その後、化学的エッチングにより前記基板を除去することを特徴とするGaN単結晶の作製方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (25件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE04 ,  4G077FE02 ,  4G077FE06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AE09 ,  5F045AF04 ,  5F045CA09 ,  5F045HA12 ,  5F045HA16