特許

J-GLOBAL ID：200903048370670240

ドライエッチング方法

発明者： 嘉 瀬 慶 久 ,  山 崎 智 生
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251674
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077093
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 シリコン材料から成る表面部に砒素が部分的に添加された被処理物をエッチングして平坦なエッチング面を得ることができるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 シリコン材料から成る表面部に砒素が部分的に添加された被処理物を真空下でエッチング処理するドライエッチング方法である。少なくともフッ素原子を含むガスと、少なくとも酸素原子を含むガスと、少なくとも硫黄原子を含むガスと、を少なくとも含むプロセスガスを活性化する活性化工程と、活性化工程においてプロセスガス中に生成されたフッ素ラジカル及び硫黄ラジカルを被処理物の表面に供給し、シリコン材料から成る表面部をフッ素ラジカルによってエッチングするエッチング工程と、を備えている。

請求項（抜粋）：

シリコン材料から成る表面部に砒素が部分的に添加された被処理物を真空下でエッチング処理するドライエッチング方法において、少なくともフッ素原子を含むガスと、少なくとも酸素原子を含むガスと、少なくとも硫黄原子を含むガスと、を少なくとも含むプロセスガスを活性化する活性化工程と、前記活性化工程において前記プロセスガス中に生成されたフッ素ラジカル及び硫黄ラジカルを前記被処理物の表面に供給し、前記シリコン材料から成る表面部を前記フッ素ラジカルによってエッチングするエッチング工程と、を備えたことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E

Fターム (38件)：

4K057DA04 ,  4K057DB06 ,  4K057DB11 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE20 ,  4K057DM08 ,  4K057DM28 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA11 ,  5F004BA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA06 ,  5F004DA07 ,  5F004DA08 ,  5F004DA09 ,  5F004DA10 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02