特許

J-GLOBAL ID：200903048371434214

多結晶半導体膜の製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置

発明者： 綾 洋一郎 ,  納田 朋幸 ,  佐野 景一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311441
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213637
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 表面が平坦でありかつ結晶粒径の均一化を行うことにより特性の均一化が図れる多結晶半導体膜の製造方法、その製造方法によって形成されたTFT及びそのTFTを用いて良好な表示の得られる表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 多結晶半導体膜8に傾斜部6aを設ける。

請求項（抜粋）：

基板上にアイランド状に設けられた非晶質半導体薄膜をレーザビームを照射することにより再結晶化させて多結晶半導体膜を形成する多結晶半導体膜の製造方法において、前記非晶質半導体薄膜の前記レーザビームによる熱集中が生じる部位の表面が、前記レーザビームの照射方向に対して傾斜を持たせたことを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/764 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/76 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-343943   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所