特許

J-GLOBAL ID：200903048376206775

電子部品、電子部品の製造方法、加速度センサ、及び加速度センサの製造方法

発明者： 小澤 信男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-071596
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235487
出願日： 2007年03月19日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】信頼性に優れた電子部品、その製造方法、電子部品を用いた加速度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に形成される絶縁層28と、絶縁層28上に形成され、外部端子と電気的に接続されるパッド24と、を含む電子部品であって、パッド24の底面に対応する基板10および絶縁層28の領域の少なくとも一つに形成される空洞26が設けられている電子部品である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、外部端子と電気的に接続される電極パッドと、を含む電子部品であって、 前記電極パッドの底面に対応する前記基板および前記絶縁層の領域の少なくとも一つに形成される空洞を有することを特徴とする電子部品。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  B81B 3/00 ,  G01P 15/08 ,  H01L 21/447 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

H01L23/12 W ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 P ,  H01L21/447 ,  H01L29/84 Z

Fターム (21件)：

3C081AA01 ,  3C081AA04 ,  3C081BA32 ,  3C081CA15 ,  3C081CA25 ,  3C081CA29 ,  3C081DA28 ,  3C081EA02 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA27 ,  4M112CA33 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第2127840号公報
  
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-156822   出願人：松下電工株式会社
• 半導体パッケージ、半導体装置、電子装置及び半導体パッケージの製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2000003804   出願人：株式会社フジクラ
• 半導体パッケージ、半導体装置、電子装置及び半導体パッケージの製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2000003836   出願人：株式会社フジクラ, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-051900   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191506   出願人：山形日本電気株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-224398   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-157336   出願人：松下電工株式会社