特許

J-GLOBAL ID：200903048377302107

半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者： 岸本 喜芳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104643
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275097
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 被処理体を処理するための粒子群を均一に照射して、面積の大きな被処理体でも均一に処理する。【解決手段】 下部電極22上の半導体ウェハ21をモータ部24で回転させ且つ半導体ウェハ21の半径方向へ相対的に移動させつつ、ノズル16から半導体ウェハ21にプラズマを照射することによって、半導体ウェハ21の全面に対するエッチング等を行う。このため、プラズマの照射面積が半導体ウェハ21の面積よりも狭くてよく、プラズマを均一に照射することができる。

請求項（抜粋）：

被処理体を処理するための粒子群を照射する照射手段と、前記被処理体を回転させる回転手段と、前記被処理体の半径方向へ前記照射手段を相対的に移動させる移動手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 C ,  H05H 1/46 C