表面保護によるニッケルシリサイド-窒化ケイ素の接着性の改良

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 安藤克則 , 池田幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-336792
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128501
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】半導体集積回路基板の構成要素としてニッケルシリサイド膜を用いる時、その表面に形成される窒化ケイ素膜などの絶縁層との接着性が劣ることが問題になる。その原因になる両者の界面に生じやすいケイ素リッチな界面膜の生成を防ぎ、接着性の問題を解決する。【解決手段】1つの手段は、ケイ素リッチ層の形成を防ぐために、シリコン基板上に形成されたニッケルシリサイド膜に、アンモニアなどの窒素保持ガス材料を導入し、実質的にケイ素不在下で、プラズマを導入して発生させた活性化窒素種をシリサイド膜表面と反応させ、生成した窒化ケイ素でシリサイド表面を保護安定化する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの形成方法であって: a.上部表面を有する基板を提供するステップであって、その上部表面の少なくとも一部がシリサイド材料の領域を含むステップ;及び b.シリサイド材料の領域を含むその上部表面を、窒素の活性化種を含みかつ実質的にケイ素が存在しない環境に曝すステップ; を含む方法。

IPC (6件)：

H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (7件)：

H01L21/28 301S , H01L21/28 B , H01L21/88 Q , H01L21/90 K , H01L29/78 301P , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J

Fターム (86件)：

4M104BB01 , 4M104BB21 , 4M104DD02 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104DD86 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH09 , 5F033HH04 , 5F033HH25 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033MM07 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ90 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS08 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX12 , 5F033XX14 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD11 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110HK42 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN39 , 5F140AA00 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG38 , 5F140BG41 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK26 , 5F140BK34 , 5F140BK37 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CF04

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