特許
J-GLOBAL ID:200903048395501583

水素製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 佐藤 辰彦 ,  千葉 剛宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-367295
公開番号(公開出願番号):特開2004-197167
出願日: 2002年12月18日
公開日(公表日): 2004年07月15日
要約:
【課題】太陽エネルギー-水素変換効率に優れ、単セルの性能が他のセルの性能に影響を及ぼさない水素製造装置を提供する。【解決手段】隔壁8を介して対向配置され、原水Wを収容する電解室1,2と、各電解室1,2に設けられた電極板10とを備える電解槽3と、太陽電池13a,13bとを備え、太陽電池13a,13bから供給される電力により原水Wを電解して水素を生成せしめる。各電解室の上部に原水Wと接触するように設けられた電極板10と、各電極板10上にp型半導体層11とn型半導体層12とが積層され、電解室1と電解室2とではp型半導体層11とn型半導体層12とが逆順に積層されて形成された一対の太陽電池13a,13bと、太陽電池13a,13b上に積層され、太陽電池13a,13bを直列に接続する導電体層14とを備える。太陽電池13a,13bは、起電力の和が電解開始電圧以上である。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
イオンが流通自在の隔壁を介して対向配置され、アルカリ性の原水を収容する第1及び第2の電解室と、各電解室に設けられた第1及び第2の電極板とを備える電解槽と、両電極板に電力を供給する太陽電池とを備え、該太陽電池から供給される電力により該電解槽に収容された原水を電気分解することにより水素を生成せしめる水素製造装置において、 各電解室の上部に該原水と接触するように設けられた電極板と、 各電極板上にp型半導体層とn型半導体層とが積層され、第1の電解室と第2の電解室とではp型半導体層とn型半導体層との順序が逆になるように積層されて形成された一対の太陽電池と、 各電解室に設けられた太陽電池上に、太陽光が該太陽電池に入射自在に積層され、各太陽電池を直列に接続する導電体層とを備え、 各太陽電池は、起電力の和が電解開始電圧以上であることを特徴とする水素製造装置。
IPC (5件):
C25B1/06 ,  C25B9/00 ,  C25B11/03 ,  C25B11/04 ,  H01L31/04
FI (5件):
C25B1/06 ,  C25B11/03 ,  C25B11/04 A ,  C25B9/00 A ,  H01L31/04 Q
Fターム (21件):
4K011AA11 ,  4K011AA30 ,  4K011AA48 ,  4K011CA04 ,  4K011CA13 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021CA02 ,  4K021CA05 ,  4K021DA13 ,  4K021DB11 ,  4K021DB20 ,  4K021DC03 ,  5F051AA08 ,  5F051BA05 ,  5F051BA17 ,  5F051DA03 ,  5F051EA20 ,  5F051FA06 ,  5F051FA17

前のページに戻る