特許

J-GLOBAL ID：200903048395811060

半導体装置

発明者： 畑迫 健一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319004
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160271
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 製造上の欠陥や異物に対しても十分にマージンが得られ、電気特性の変更もマスクの変更なしに対応できる半導体装置を得る。【構成】 上層のアルミ配線5の複数個の配線個所と下層の単一の配線個所であるポリシリコン3とをシリコン基板1の表面に対して所要角度傾斜して形成したコンタクトホール6を介して接続したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

上層の配線個所と下層の配線個所とをコンタクトホールを介して接続する半導体装置において、前記コンタクトホールを半導体基板の表面に対して所要角度傾斜せしめて形成し、前記上層の複数個の配線個所と下層の単一の配線個所とを接続したことを特徴とする半導体装置。