特許

J-GLOBAL ID：200903048405991355

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松ケ谷 和沖 ,  田口 隆志 ,  上野 祥樹
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038124
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249641
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】この発明は、メサエッチングで形成された活性層領域の側面の活性層露出部に、電極構造体が接触されないようにして、リーク電流が効果的に抑制されるようにした半導体装置、並びにその製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板11上のメサエッチングで形成された活性層領域12の上に、脚部130 を備えたT型のゲート電極13を形成し、このゲート電極13は半導体基板11上に引き出し部131 で介して引き出し、引き出し電極132 に接続される。ここで引き出し部131 の下部の脚部130 が取り除かれて窓構造部16が形成され、ゲート電極13と活性層領域12の側面露出部とが隔離される。この窓構造部16は、3層に形成したレジスト膜に対する第1回目の露光で上層から2層だけ露光すると共に、第2回目の露光で脚部130 および引き出し電極132 部を露光し、最下層のレジスト膜を活性層領域の側面で残すことによって作製される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、メサエッチングすることによって周囲を除去して構成された島状の活性層領域と、この活性層領域の上に形成されて、その一部が前記活性層領域のエッチングされた境界部の活性層の露出された側面部を介して前記半導体基板上に形成された引き出し電極部に導出されるようにした電極構造体とを具備し、前記電極構造体は、上部が幅広に構成されると共に下部が幅の狭い脚部で前記活性層上に接合されるようにした断面T型に構成され、この断面T型の前記脚部に相当する部分が排除された窓構造部が前記活性層領域の前記境界部に形成されるようにした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P