特許

J-GLOBAL ID：200903048406306516

近接効果補正方法、レチクル及びデバイス製造方法

発明者： 沖野 輝昭
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237175
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 高いパターン寸法精度を達成することができる近接効果補正方法等を提供することを目的とする。【解決手段】 感応基板上に形成すべき設計パターンを設定する。この設計パターンの内、一次露光を行う際の荷電粒子ビームのボケ量の4倍より小さいパターンを抽出し、近接効果補正のためのパターン形状補正を計算する。上記パターン形状補正の計算結果を参考にして一次露光用レチクルパターンデータを作製する。そのデータをもとに実際に使用する一次露光用のレチクルを作製する。この際、可変成形ビーム式の電子線描画装置を用い、ドーズ調整又は形状補正等を施す。そして、このレチクルを用いて、セルプロジェクション又は分割転写方式の電子線投影露光装置を用いて感応基板に一次露光を行う。

請求項（抜粋）：

レジスト層の塗布された基板(感応基板)上に荷電粒子ビームを選択的に照射してパターンを形成する際に、荷電粒子が感応基板中でバックスキャッターして生じる近接効果を補正する方法であって;感応基板上に形成すべきパターン(設計パターン)を設定し、該設計パターンに対応する露光パターンデータ(図形位置と図形巾と照射ドーズのデータ)を、近接効果補正のためのパターン形状補正を加えた上で設定し、該露光パターンデータに基づいて上記感応基板に一次露光を施し、該一次露光時の荷電粒子のバックスキャッターによるドーズの分布を均一化するためのGHOST 補正用パターンデータを設定し、該GHOST 補正用パターンデータに基づいて、上記一次露光を施した感応基板に二次露光を施すことを特徴とする近接効果補正方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504

FI (3件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 M

Fターム (11件)：

2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097CA16 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056CA11 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD12