特許
J-GLOBAL ID：200903048408309326
LSI用パターンのレイアウト作成方法及びLSI用パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288772
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121345
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 リソグラフィ工程における露光条件が変更になっても、変更後の露光条件に対応するマスクレイアウトを速やかに作成できるようにする。【解決手段】 リソグラフィ工程におけるパターンの目標設計寸法と、パターンの両側に位置する第1のスペース及び第2のスペースの各幅寸法S1、S2と、リソグラフィ工程における露光条件とを変数とする連続関数によってパターンの幅のマスク寸法Lを表現した評価式を作成する。LSI用パターンを構成する複数のパターンから寸法制御の対象となるパターンを抽出した後、上記評価式を用い、目標設計寸法を実現するマスク上のパターンの線幅寸法Lを算出する。算出したマスク寸法Lを用いてLSI用パターンのマスクを作成する。
請求項（抜粋）：
パターンの幅のマスク寸法が、リソグラフィ工程における目標設計寸法、前記パターンの両側に位置する第1のスペース及び第2のスペースの各幅のマスク寸法、並びに前記リソグラフィ工程における露光条件を変数とする連続関数によって表わされた最適マスク寸法評価式を作成する最適マスク寸法評価式作成工程と、LSI用パターンを構成する複数のパターンから寸法制御の対象となるパターンを抽出する対象パターン抽出工程と、前記最適マスク寸法評価式に、前記対象パターンに対応する前記目標設計寸法、前記パターンの両側に位置する前記第1のスペース及び第2のスペースの各幅の前記マスク寸法、並びに前記リソグラフィ工程における前記露光条件を代入することにより、前記目標設計寸法を実現する前記パターンの幅の最適マスク寸法を算出する最適マスク寸法算出工程と、算出された前記最適マスク寸法を用いて前記LSI用パターンのマスクを作成するマスクレイアウト作成工程と、を包含することを特徴とするLSI用パターンのレイアウト作成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, G03F 1/08 A
