特許
J-GLOBAL ID：200903048418882539
気相成長装置及び気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016595
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213329
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 気相成長装置及び気相成長方法に関し、均一性の高いエピタキシャル成長層を再現性良く気相成長させる。【構成】 ガス供給口2及びガス排出口3を備えた反応管1、ウェハ4を保持するサセプタ5、ウェハを加熱する加熱手段、サセプタを支持するサセプタ支持部材6、及び、サセプタを回転させる回転機構7,8,9からなる気相成長装置において、サセプタの中心軸に対する回転軸の変位を測定する変位測定機構11、この変位測定機構の信号によって変位を調整する変位調整機構13、及び、変位調整機構を制御する制御手段12を設ける。
請求項（抜粋）：
ガス供給口及びガス排出口を備えた反応管、ウェハを保持するサセプタ、前記ウェハを加熱する加熱手段、前記サセプタを支持するサセプタ支持部材、及び、前記サセプタを回転させる回転機構からなる気相成長装置において、前記サセプタの中心軸に対する回転軸の変位を測定する変位測定機構、前記変位測定機構の信号によって変位を調整する変位調整機構、及び、前記変位調整機構を制御する制御手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/52
, C30B 25/12
