特許
J-GLOBAL ID：200903048427297789

シリコン基板への垂直穴加工方法

発明者：
森井 明雄

森井 明雄 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205299
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128483
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】低コストで、大口径のシリコン基板内での均一な寸法の穴加工が可能であり、かつ、アスペクト比の大きい穴加工が可能なシリコン基板への垂直穴加工方法を提供する【解決手段】アルカリ性溶液による異方性エッチングを利用したシリコン基板への垂直穴加工において、結晶面方位が{211}であるシリコン基板を用い、穴の開口部が正方形もしくは長方形であり、穴の側壁の結晶面方位が{111}および{110}から成ることを特徴とするシリコン基板への垂直穴加工方法であり、異方性エッチングの前に、穴の開口部の一部を予め穴加工し、該加工部分のシリコンを除去しておくことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アルカリ性溶液による異方性エッチングを利用したシリコン基板への垂直穴加工において、結晶面方位が{211}であるシリコン基板を用い、穴の開口部が正方形もしくは長方形であり、穴の側壁の結晶面方位が{111}および{110}から成ることを特徴とするシリコン基板への垂直穴加工方法。
IPC (4件)：
H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H01L29/84
FI (4件)：
H01L21/306 B ,  H01L21/318 M ,  H01L29/84 Z ,  H01L21/302 105A
Fターム (40件)：
4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112CA41 ,  4M112CA44 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112FA20 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EA23 ,  5F004EB04 ,  5F004EB08 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043BB02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD15 ,  5F043FF01 ,  5F043FF10 ,  5F058BA08 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF04 ,  5F058BH13 ,  5F058BJ03
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 特開昭57-211780
  • 特開昭53-212491

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