電子素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-110678
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303299
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】電子素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】プラスチック基板と、前記基板上に積層された透明な熱伝導膜と、前記熱伝導膜上に積層されたポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜上に形成された機能素子と、を備える電子素子。前記機能素子は、トランジスタ、発光素子、メモリ素子のうち何れか一つであり、前記機能素子は、前記ポリシリコン膜上に積層されたゲート積層物を備えるTFTであることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラスチック基板と、前記プラスチック基板上に積層された透明な熱伝導膜と、前記熱伝導膜上に積層されたポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜上に形成された機能素子と、を備えることを特徴とする電子素子。

IPC (3件)：

H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L29/78 627G , H01L21/20 , H01L29/78 626C

Fターム (40件)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP11 , 5F152AA08 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC04 , 5F152CD03 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD16 , 5F152CD17 , 5F152CD27 , 5F152CE05 , 5F152CE14 , 5F152CE16 , 5F152CE24 , 5F152FF03 , 5F152FF06 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG08 , 5F152FG18

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第5,817,550号明細書

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