特許

J-GLOBAL ID：200903048433145222

半導体記憶装置

発明者： 田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176725
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046159
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ビット線選択トランジスタの加工を容易にすることができるNANDセル型EEPROMを提供すること。【構成】 4個のメモリセルMを直列接続したNANDセルと、このNANDセルを選択的にビット線BLと接続するための選択トランジスタS1,2から構成されるメモリセルユニットが、マトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、2本のビット線BLに対して1本ずつ設けられた選択ビット信号線と、2本のビット線BLを選択的に選択ビット信号線に接続するため、ビット線BLの同一端にメモリセルユニットに隣接して設けられたビット線選択トランジスタQn2,3とを備えたNANDセル型EEPROMにおいて、ビット線選択トランジスタQn2,3を、選択トランジスタS1とほぼ同一形状に同時に形成し、かつ選択トランジスタS1をビット線方向に平行移動した位置に配置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

1個又は複数個のメモリセルから構成されるサブアレイと、このサブアレイを選択的にビット線と接続するための選択トランジスタから構成されるメモリセルユニットが、マトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、複数本のビット線に対して1本ずつ設けられた選択ビット信号線と、前記複数本のビット線を選択的に前記選択ビット信号線に接続するため、ビット線の同一端にメモリセルユニットに隣接して設けられたビット線選択トランジスタとを備え、前記ビット線選択トランジスタは、前記選択トランジスタとほぼ同一形状に形成され、かつ前記選択トランジスタをビット線方向に平行移動した位置に配置されてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 307 A ,  H01L 29/78 371