特許
J-GLOBAL ID：200903048439262433
プラズマ装置及びこれを用いたプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-328356
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183276
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 広範囲の温度領域において基板温度を効率良く、迅速かつ精度良く制御することを目的とする。【構成】 プラズマ生成室4に生成させたプラズマを用い、試料室8内の基板載置電極に載置された基板10に対して、所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記基板載置電極は、冷媒輸送管16を介しチラー35で冷却された冷媒を循環可能な冷却ステージ12と、ヒータ電源34から電力を供給可能なヒータ17を備える加熱ステージ11と、これら両ステージを支持するステージ支柱13、14と、このステージ支柱13、14の少なくとも一方を上下に駆動することにより、該両ステージを接離させる駆動モータ15とを有する。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に生成させたプラズマを用い、該チャンバ内の基板載置電極に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記基板載置電極は冷却手段を備える冷却ステージと、加熱手段を備える加熱ステージと、これら両ステージを互いに接離させるごとく該両ステージの少なくとも一方を駆動する駆動手段とを有することを特徴とするプラズマ装置。
IPC (2件)：
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