特許

J-GLOBAL ID：200903048445627370

撮像回路、CMOSセンサ、および撮像装置

発明者： 若林 準人 ,  稲田 喜昭 ,  小関 賢
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 稲本 義雄 ,  西川 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-178075
公開番号（公開出願番号）：特開2008-312179
出願日： 2007年07月06日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】画像のノイズを低減させる。【解決手段】トランジスタ42は、フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力し、参照電圧回路26は、所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成する。また、コンパレータ311は、トランジスタ42が出力する画素信号と、参照電圧回路26が出力するランプ信号とを比較する。そして、トランジスタ42が出力する画素信号の基準電位と、参照電圧回路26が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである。本発明は、例えば、CMOSセンサに適用できる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

フォトディテクタの受光量に応じた電荷を増幅し、画素信号を出力する増幅手段と、 所定の初期電圧から、一定の傾きで電圧が降下するランプ信号を生成するランプ信号生成手段と、 前記増幅手段が出力する画素信号と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号とを比較する比較手段と を備え、 前記増幅手段が出力する画素信号の基準電位と、前記ランプ信号生成手段が出力するランプ信号の基準電位とが同一のレベルである 撮像回路。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H04N 5/232

FI (4件)：

H04N5/335 P ,  H04N5/335 E ,  H04N5/232 Z ,  H04N5/335 Z

Fターム (20件)：

5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX03 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024HX13 ,  5C024HX29 ,  5C122DA03 ,  5C122DA04 ,  5C122DA09 ,  5C122DA11 ,  5C122EA22 ,  5C122FC02 ,  5C122HA55 ,  5C122HA88 ,  5C122HB02 ,  5C122HB06 ,  5C122HB10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3734717号
  
• 特許第3710361号
  
• AD変換方法および物理量分布検知の半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-142142   出願人：ソニー株式会社