特許

J-GLOBAL ID：200903048446981887

量子化機能素子およびその製造方法

発明者： 幸 康一郎 ,  安井 十郎 ,  丹羽 正昭 ,  平井 義彦 ,  森本 廉 ,  岡田 健治 ,  宇田川 昌治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112660
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312419
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 シリコン薄板を用いた量子化機能素子を提供する。【構成】 エッチング工程によってシリコン基板101中に、側壁が(111)面である第1の溝107及び第2の溝109と、シリコン基板101の一部として形成され量子井戸として機能するほど十分に薄い幅を有するシリコン薄板110とが形成される。このシリコン薄板110の両側壁の表面には、トンネル障壁として機能する一対のシリコン酸化膜111が形成され、シリコン薄板110と一対のシリコン酸化膜111とによって二重障壁構造112を構成する。この二重障壁構造112を両側から挟み込む一対のポリシリコン電極114及び115が設けられて、共鳴トンネル現象を利用した共鳴トンネルダイオード10が得られる。

請求項（抜粋）：

シリコン(111)面からなる両側壁を有し、量子井戸として機能するほど十分に薄い幅を有するシリコン薄板と、該シリコン薄板の該両側壁の表面に形成された一対のトンネル障壁と、該一対のトンネル障壁を両側から挟み込むように形成された第1及び第2の電極と、を備える量子化機能素子。

IPC (3件)：

H01L 29/68 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/88