特許

J-GLOBAL ID：200903048449146091

皮膜形成装置

発明者： 井上 謙一
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180151
公開番号（公開出願番号）：特開2002-371351
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 アーク放電式イオンプレーティング法による皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜の形成が、それぞれ高い密着性を有す状態で、連続して繰返し行えることが可能である皮膜形成装置を提供する。【解決手段】 陰極物質2を蒸発させるアーク放電式蒸発源1および陰極物質7を放出させるスパッタリング用電極6を同一容器14内に備え、物理蒸着法により容器14内の被覆基体11に皮膜を形成する皮膜形成装置であって、前記アーク放電式蒸発源1にて皮膜を形成する際は、前記スパッタリング用電極6の陰極部7前面が遮へい板9にて覆われる機構を有し、前記スパッタリング用電極6にて皮膜を形成する際は、前記アーク放電式蒸発源1の陰極部2前面が遮へい板4にて覆われる機構を有し、さらに前記被覆基体11にバイアス電圧を印加するバイアス電源20を備える皮膜形成装置である。

請求項（抜粋）：

アーク放電によって陰極を溶解させ陰極物質を蒸発させるアーク放電式蒸発源およびスパッタリングによって陰極物質を放出させるスパッタリング用電極を同一容器内に備え、物理蒸着法により容器内の被覆基体に皮膜を形成する皮膜形成装置であって、前記アーク放電式蒸発源にて皮膜を形成する際は、前記スパッタリング用電極の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、前記スパッタリング用電極にて皮膜を形成する際は、前記アーク放電式蒸発源の陰極部前面が遮へいされる機構を有し、さらに前記被覆基体にバイアス電圧を印加するバイアス電源を備え、アーク放電式イオンプレーティング法による皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜の形成が、連続して繰返し行えることを特徴とする皮膜形成装置。

Fターム (9件)：

4K029BB02 ,  4K029BD05 ,  4K029CA13 ,  4K029DB14 ,  4K029DC00 ,  4K029DC16 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029DD06