特許

J-GLOBAL ID：200903048453161160

処理装置

発明者： 飽本 正巳
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-262621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074699
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】アームにより半導体ウエハを複数の処理機構間を搬送するに際して、高温の半導体ウエハやこれを搬送して昇温されたアームからの熱が、温度調整された半導体ウエハに伝わらないようにして、半導体ウエハの温度変動を防止する。【構成】第1のアーム22の下方に、第2のアーム23を更にその下方に第2のアーム24を設ける。第1のアーム22と第2のアーム23との間に、断熱部材26を設ける。断熱部材26は通気孔31が形成された上下2枚の断熱板28,29を有する。断熱部材26は第2のアーム23,24側からの輻射熱を遮断するも、ダウンフローFは通気孔31を通って流化する。

請求項（抜粋）：

被処理体に処理を施す複数の処理機構と、これらの処理機構に上記被処理体を搬送するための搬送機構と、この搬送機構に移動自在に設けられ上記被処理体を保持するアームとを有する処理装置において、上記アームが上記処理機構によって第1の温度に温度調整された後の被処理体に対してのみ使用される第1のアームと、これ以外の被処理体に対して使用される第2のアームとを有し、上記第1のアームと第2のアームとの間に、断熱手段を設けたことを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/30 361 C ,  H01L 21/30 361 L