特許
J-GLOBAL ID：200903048465307380

真空遮断器用接点材料及びその製造方法

発明者：
奥富 功

奥富 功 について

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関口 薫旦

関口 薫旦 について

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関 経世

関 経世 について

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草野 貴史

草野 貴史 について

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山本 敦史

山本 敦史 について


出願人/特許権者：
芝府エンジニアリング株式会社

芝府エンジニアリング株式会社 について

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株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020742
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213153
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 耐溶着特性及び耐消耗特性を安定させると共に、遮断特性に優れた真空遮断器用接点材料を得る。【解決手段】 Cu又はAgの少なくとも1種よりなる高導電性成分と、粒子径が、 0.1〜 150μmであって少なくとも全体の90容積%を占めるCrよりなる耐弧性成分と、粒子径が 0.1〜 150μmであるAl又はSiの少なくとも1種よりなる第1補助成分と均一に混合して混合粉にすると共に、この混合粉に対して相対密度を88%以上にする。
請求項（抜粋）：
Cu又はAgの少なくとも1種よりなる高導電性成分と、粒子径が、 0.1〜 150μmであって少なくとも全体の90容積%を占めるCrよりなる耐弧性成分と、粒子径が 0.1〜 150μmであるAl又はSiの少なくとも1種よりなる第1補助成分とを均一に混合して混合粉にすると共に、この混合粉に対して相対密度を88%以上にしたことを特徴とする真空遮断器用接点材料。
引用特許：
審査官引用 (26件)
  • 特公昭45-035101
  • 特公昭45-035101
  • 特開昭62-005525
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