特許
J-GLOBAL ID：200903048466026032
薄膜トランジスタ、固体装置、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-250135
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330487
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 オフ電流特性などの電気的特性を向上可能な薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ(110)は、約400オングストロームのn-型シリコン膜(低濃度領域)からなるn-ソース領域(112)およびn-ドレイン領域(113)を有し、低濃度領域はゲート電極と重畳されている。ゲート電極(116)は金属電極であって、n-ソース領域(112)およびn-ドレイン領域(113)の形成以降に形成されたものであって、ゲート電極(116)とn-ソース領域(112)およびn-ドレイン領域(113)とは、自己整合的に構成されていない。
請求項（抜粋）：
基板の表面側に、ソース領域とドレイン領域との問においてチャネルを形成可能なチャネル形成領域と、このチャネル形成領域の表面側にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極とを有し、前記ソース領域および前記ドレイン領域において、前記ゲート電極の端部に対して前記ゲート絶縁膜を介して重畳する領域は、前記ゲート電極よりも前の工程で形成された低凄度領域であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 V
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 L
