半導体素子搭載用基板及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-015327
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218287
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体素子搭載用基板及びその製造方法に関し、熱膨張係数がシリコンに近く、軽量且つ薄くても高剛性を有する半導体素子搭載用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】繊維強化型金属よりなるコア基板10と、コア基板10上に形成された絶縁層14と、絶縁層14上に形成された配線層20とを有する。これにより、熱膨張係数がシリコンに近く、軽量且つ薄くても高剛性を有する半導体素子搭載用基板を構成することができる。

請求項（抜粋）：