硬質炭素系膜の除去方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-183293
公開番号（公開出願番号）：特開2007-002293
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】Si,Cr、Ti等の金属元素を含有した金属含有DLC膜と称される硬質炭素系膜の除去方法において、機械装置の簡略化が可能であり、且つ金属含有DLC膜の除去に要する時間も短い金属元素含有DLC膜の除去方法を提供する。【解決手段】材上に形成された金属元素を含有する硬質炭素系膜に対し、プラズマ中でイオン化若しくはラジカル化した際にフッ素イオン若しくはフッ素ラジカルを生じさせるガスを用い、そのガスから形成されたプラズマ中に該硬質炭素膜を暴露することを特徴とする硬質炭素膜の除去方法による。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材上に形成された金属元素を含有する硬質炭素系膜に対し、プラズマ中でイオン化若しくはラジカル化した際にフッ素イオン若しくはフッ素ラジカルを生じさせるガスを用い、そのガスから形成されたプラズマ中に該硬質炭素膜を暴露することを特徴とする硬質炭素膜の除去方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 , B01J 19/08 , B29B 17/02

FI (3件)：

C23F4/00 A , B01J19/08 H , B29B17/02

Fターム (27件)：

4F301AA13 , 4F301AA14 , 4F301AA15 , 4F301AA17 , 4F301AA25 , 4F301BF06 , 4F301BF32 , 4G075AA30 , 4G075AA37 , 4G075BA05 , 4G075BC02 , 4G075BC06 , 4G075CA13 , 4G075CA47 , 4G075CA62 , 4G075DA02 , 4G075EA01 , 4G075EB41 , 4K057DB06 , 4K057DB08 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DE06 , 4K057DE08 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DN10

引用特許：

出願人引用 (1件)

エッチング装置およびエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-093719 出願人：神港精機株式会社

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