特許
J-GLOBAL ID：200903048468797745
半導体発光素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196853
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064867
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングを行い、半導体層がダメージを受けたあとでも電極が形成される層が酸化せず安定した状態で電極と半導体層との接続がえられ、電気特性および発光効率の向上した半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層4とp型層6を含み、発光部(活性層)5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の少なくとも一部をエッチングし、該エッチングされて露出した半導体層および前記積層された半導体層の表面にn側電極9およびp側電極8をそれぞれ形成する半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをしたのち該半導体層の露出面全面を硫化処理することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型層とp型層を含み、発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の少なくとも一部をエッチングし、該エッチングされて露出した半導体層および前記積層された半導体層の表面にn側電極およびp側電極をそれぞれ形成する半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをしたのち該半導体層の露出面全面を硫化処理することを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (2件)：
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