特許
J-GLOBAL ID:200903048474614083
輝尽性蛍光体の製造方法及び放射線像変換パネル
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-185724
公開番号(公開出願番号):特開2001-013299
出願日: 1999年06月30日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 輝度及び鮮鋭性に優れ像形成後の安定性及び耐湿性に優れた輝尽性蛍光体の製造方法及び放射線像変換パネルの提供。【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層、保護層からなる放射線像変換パネルにおいて、下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体がBaF2を10%以下含有することを特徴とする輝尽性蛍光体。一般式(1)BaFX:Eu2+
請求項(抜粋):
支持体上に輝尽性蛍光体層、保護層を有する放射線像変換パネルにおいて、下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体が10%以下のBaF2を含有することを特徴とする放射線像変換パネル。一般式(1)BaFX:Eu2+式中、Xは沃素原子、臭素原子又は塩素原子から選ばれる少なくとも1種の原子を表す。
IPC (3件):
G21K 4/00
, C09K 11/00
, C09K 11/61 CPF
FI (3件):
G21K 4/00 M
, C09K 11/00 B
, C09K 11/61 CPF
Fターム (14件):
2G083AA03
, 2G083BB01
, 2G083DD02
, 2G083EE02
, 2G083EE03
, 2G083EE08
, 4H001CA08
, 4H001CF01
, 4H001XA09
, 4H001XA17
, 4H001XA35
, 4H001XA53
, 4H001XA56
, 4H001YA63
引用特許:
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