コンタクトホ-ル形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森本義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115591
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021850
出願日： 1990年05月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】エッチング除去すべき特定層のエッチング終点を正確に検出することができ、エッチングダメージの発生を回避して低コンタクト抵抗値を実現できるコンタクトホール形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 (a)においてP型シリコン基板1にn+拡散層2が形成され、その上層にシリコン熱酸化膜5が形成される。その上層にシリコン窒化膜6が形成され、層間絶縁膜としてBPSG膜7がそれぞれ形成される。フォトレジスト4をマスクとして、BPSG膜7をエッチングする(b)。CN発光スペクトルの増加は顕著でありBPSG膜7のエッチングの終点を時刻t0に安定に判定することができ、シリコン窒化膜6が露出してから(不純物拡散層が露出する前)エッチング条件を切り換えて(c)に示すようにコンタクトホール8を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の拡散層の上部にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜の上部にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にコンタクトホールパターンを形成する工程と、前記コンタクトホールパターンをマスクとして第1のエッチング条件により前記シリコン酸化膜をエッチングし前記シリコン窒化膜でエッチングを停止する工程と、前記シリコン窒化膜を前記第1のエッチング条件よりもイオンエネルギーの低い第2のエッチング条件によりエッチングし前記拡散層に達するコンタクトホールを完成する工程とを有するコンタクトホール形成方法。

前のページに戻る